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型号 IRFH5302DTR2PBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
IRFH5302DTR2PBF PDF
代理商 IRFH5302DTR2PBF
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 29A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.5 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.35V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3635pF @ 25V
功率 - 最大 3.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-VQFN
供应商设备封装 PQFN（5x6）单芯片焊盘
包装 剪切带 (CT)
其它名称 IRFH5302DTR2PBFCT
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